GaAs梁式引线混频管四管堆

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mynameiscaohaoxiang
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本文报道GaAs梁式引线混频管四管堆的研究结果.以半绝缘GaAs单晶为衬底,以NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒,用二氧化硅和聚酰亚胺两种介质为钝化保护膜而制成的梁式引线混额管四管堆,其零偏结电容为0.05~0.11pF,串联电阻为3~6Ω,分布电容小于0.10pF,4个单管的一致性较好.将该器件分别用于7.5~18GHz和4~8GHz双平衡混频器中,单边带整机噪声系数分别小于6.6dB和5.0dB(不含中放噪声系数1.5dB),本振功率小于10dBm.
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