【摘 要】
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采用提拉法生长了尺寸为30 mm×50 mm的（Yb3＋,La3＋）∶Gd2SiO5单晶和尺寸为24 mm×57 mm的（Yb3＋,Tb3＋）∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所,中国科学院研究生院
【基金项目】
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国家自然科学基金(90922003,50872135,50932005);中国科学院知识创新重要方向性项目(YYYJ-1002)资助课题
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采用提拉法生长了尺寸为30 mm×50 mm的（Yb3＋,La3＋）∶Gd2SiO5单晶和尺寸为24 mm×57 mm的（Yb3＋,Tb3＋）∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明：Yb3＋在Gd2SiO5晶体中的分凝系数为1.185（15）,接近单位1,而La3＋则为0.68（10）,偏离单位1较多,对晶体的光学均匀性会有较大的影响;Yb3＋和Tb3＋在GdTaO4中的分凝系数为0.84（14）和0.84（
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