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采用移动边界条件下扩散问题的处理方法,综合界面反应和扩散两个过程对界面硅化物形成的影响,建立起Ti/Si(100)界面扩散反应动力学理论模型,并拟合快速热退火处理后试样界面Auger深度分析谱,得到Ti,Si在相应界质中扩散系数和表现反应活化能。研究结果表明,Ti/Si体系界面TiSi2生成经历了一个由反应动力学控制到扩散控制的过渡。Si从其晶格中解离并扩散到Ti/TiSi2界面是制约扩散过程的关键因素。