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本文提供了CZ单晶炉的一种新的自控方法。在熔硅和石墨坩埚之间加上一个几百伏的直流电压U时,电路中将得到一个毫安级的直流电流I_s,其值是熔硅与石英坩埚相接触的侧面积S_f和底面积S_b的函数。随着液态硅被拉制成单晶硅,石英坩埚中的硅液面下降,液态硅和石英坩埚的接触面积S_f减少,I_s亦相应下降。因而I_s可作为一个理想的信号,用于控制单晶硅的外形直径。