【摘 要】
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英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益
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英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益高至19dB。英飞凌的RF晶体管的典型过渡频率为42GHz,1.8GHz下的噪声系数0.5dB,6GHz下0.75dB。这些器件1.
Infineon revealed that they used the SiGe: C process technology to manufacture RF semiconductor devices. The SiGe: C technology, which is the foundation of Infineon’s latest generation of HBTs, makes silicon-based discrete transistors with a noise figure of only 0.75dB at 6GHz and a gain of 19dB at 6GHz. The typical transition frequency of the RF transistor of Infineon is 42GHz, the noise figure at 1.8GHz is 0.5dB, 0.75dB at 6GHz. These devices
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