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用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）对钠基蒙脱土进行改性，并用红外光谱、X衍射对CTAB—NaM—MT进行表征，制备了改性钠基蒙脱土修饰电极（CTAB—NaMMT—CMC／GCE），研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明，在pH0．8的H2SO4-Na2SO4电解质溶液中，SA在1．19V出现一明显的氧化峰，在40400mV／s范围内，其氧化峰电流与扫描速率的平方根（v^1/2）呈良好线性关系，表明电极过程为受扩散控制不可逆过程。测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别