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用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对钠基蒙脱土进行改性,并用红外光谱、X衍射对CTAB—NaM—MT进行表征,制备了改性钠基蒙脱土修饰电极(CTAB—NaMMT—CMC/GCE),研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明,在pH0.8的H2SO4-Na2SO4电解质溶液中,SA在1.19V出现一明显的氧化峰,在40400mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率的平方根(v^1/2)呈良好线性关系,表明电极过程为受扩散控制不可逆过程。测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别