【摘 要】
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该文基于IBM0．18μmSiGeBiCMOS工艺，采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器．通过电路分析和计算，确定了电路中的元件参数，通过对NMOS开关进行仿真分析，得到了最
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该文基于IBM0．18μmSiGeBiCMOS工艺，采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器．通过电路分析和计算，确定了电路中的元件参数，通过对NMOS开关进行仿真分析，得到了最优尺寸．阐述了一种插损补偿技术，即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配．仿真结果显示，该衰减器的插损小于5．0dB；所有状态的相移小于7°；输入端口回波损耗小于-15．7dB，输出端口回波损耗小于-16．65dB．
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