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研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器(LD - SLA)及列阵.器件为双异质结增异导引氧化物条形结构.采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与功率放大器(SLA)集成一体.输出功率提高一个数量级.并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使反射率和透射率由无膜时的31%、69%提高到94%以上.提高激光输出,保护器件端面.