【摘 要】
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这次会议是在1982年9月13—17日于德国贝希特斯加登举行的。共收到77篇有关离子注入设备(包括离子源、金属和半导体的强流离子注入,束流扫描器、晶片冷却、晶片传输等)、设
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这次会议是在1982年9月13—17日于德国贝希特斯加登举行的。共收到77篇有关离子注入设备(包括离子源、金属和半导体的强流离子注入,束流扫描器、晶片冷却、晶片传输等)、设备测试(剂量测定、电压校准等)、注入层的专门测量技术,以及离子注入半导体和金属的各种应用等方面的文章。大会上发表了66篇文章,其余11篇被选为短训班的讲座内容。
The meeting took place in Berchtesgaden, Germany, September 13-17, 1982. A total of 77 articles on ion implantation equipment (including ion source, strong ion implantation of metals and semiconductors, beam scanners, wafer cooling, wafer transfer, etc.), equipment testing (dosimetry, voltage calibration, etc.) Specialized measurement techniques, and various applications of ion-implanted semiconductors and metals. 66 articles were published at the conference, and the remaining eleven were selected as lectures for short courses.
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