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基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究
基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究
来源 :传感器与微系统 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FSACN
【摘 要】
:
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统AP
【作 者】
:
李晓磊
曾云
张国樑
彭琰
王太宏
【机 构】
:
湖南大学微电子研究所,空军第一航空学院四系
【出 处】
:
传感器与微系统
【发表日期】
:
2008年6期
【关键词】
:
阈值电压
信噪比
动态范围
有源像素传感器
threshold voltage
signal-to-noise ratio
dynamic range
ac
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提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
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