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采用液相沉淀法合成二氧化锰并在其表面包覆氧化铋,以期改善二氧化锰的电容性能。X射线衍射（XRD）测试表明合成的二氧化锰为无定形结构,包覆Bi2O3后材料转变为结晶度较差的α-Mn O2;扫描电镜（SEM）和X射线能谱（EDX）测试结果显示其为无规则颗粒状且表面覆盖着疏松的Bi2O3。循环伏安、恒电流充放电和电化学阻抗谱测试表明包覆5%（质量分数）Bi2O3的二氧化锰具有最好的电容性能。在电流密度分别为200、400和600 m A/g时,电极比电容分别为352.8、307.2和277.2 F/g,相比未包