【摘 要】
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针对氢化非晶硅薄膜晶体管（hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT）的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/f
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所,华南理工大学微电子学院,北京大学深圳研究生院信息工程学院,南华大学电气工程学院
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针对氢化非晶硅薄膜晶体管（hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT）的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/fγ（f为频率,γ≈0.92）的变化规律,主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型（?N-?μ模型）,在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时,对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si:H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系,通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si:H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明:局域态在禁带内随能量呈e指数变化,两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×1018和1.26×1018cm-3·eV-1,特征温度分别约为192和290 K,这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子,为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.
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