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使用一种新奇的稀土元素铽（Tb）作催化剂，通过氨化磁控溅射在Si（111）衬底上的Ga2O3/Tb薄膜，合成了大量的GaN纳米棒，氨化温度为950℃，氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）和X射线光电子能谱（XPS）对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析，合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构；通过SEM、TEM和HR