【摘 要】
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为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散.如所期望的那样,O-SiC膜可用
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为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散.如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子化学的辐射.我们检测了等离子灰化化学:O2/H2/N2,H2/N2和H2/He等离子体与O-SiC膜的相互作用,测定了膜受到的等离子损伤并检测了化学结构的变化.此外,在薄膜受到这些等离子体的辐射之后,测定了其电学性质,如泄漏电流、介电常数和介质击穿电压.结果显示,H2/H
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上品公司自1981年9月成立，创立初期以氟素树脂涂装技术为基础。经过多年研究、逐年不断技术发开、技术转移以及新产品代理其他相关氟素产品，逐渐扩大产品范围。所生产之产品包
表皮生长因子受体(EGFR)属于蛋白酪氨酸激酶受体家族.在特异配体的刺激下,EGFR可激活PI3K-Akt和Ras-Raf-MEK-ERK等多条信号通路.EGFR的异常高表达或突变可见于多种恶性肿瘤,并与肿瘤的恶性生物学行为和患者的不良预后密切相关.目前针对EGFR及其下游信号转导子已开发出多种抗肿瘤药物.这些药物疗效高,副作用小,具有良好的应用前景。
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