论文部分内容阅读
CdS是一种直接能隙半导体，其带隙约为2．42eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单，成本低廉，成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点。本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究，阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理，并不断优化此方法中的各种工艺参数，得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池过渡层的CdS薄膜，并对该薄膜的形貌、结构和性能进行了分析。