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在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ－５０、高压汞灯加热电流为５Ａ－６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣｌ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术等血了ＷＯ３薄膜。
用WOCl4制备WO3薄膜
【摘 要】
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在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ－５０、高压汞灯加热电流为５Ａ－６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣｌ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术等血了ＷＯ３薄膜。
【机 构】
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长春光学精密机械学院材料工程系,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1996年3期
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