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介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的MOS电容栅氧化层TDDB寿命进行了评价.该试验方法解决了在高温条件下对工作器件进行可靠性评价的问题,方法简便可靠,适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.
高温恒定电场栅氧化层TDDB寿命测试方法研究
【摘 要】
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介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的MOS电容栅氧化层TDDB寿命进行了评价.该试验
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,信息产业部电子第五研究所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2004年2期
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