【摘 要】
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近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程院,教育部半导体功率器件可靠性工程中心,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州财经大学信息学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(11664005,61564002),贵州省科学技术基金(黔科合[2017]1055),教育部半导体功率器件可靠性研究中心开放项目(ERCMEKFJJ2019-(08))
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近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML),以研究In的成核机制和表面扩散。实验发现,随着In沉积量的增加,液滴尺寸(包括直径、高度)明显增大。不仅如此,在相同的衬底温度下,沉积量越大,液滴密度越大。利用经典成核理论,计算了GaAs(001)表面In液滴形成的临界厚度为0.57 ML,计算的结果与已报道的实验一致。从I
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