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在200℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发200nm的Ti膜,并在高真空中退火。首次利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析(XRD),研究了从200 ̄850℃Ti与莫来石的固相界面反应,并用热力学解释了实验结果。结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ti与衬底表现的氧形成Ti-O键,界面区很窄,450℃退火1h后,有少量元素态Al、Si原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;650℃退火1h后,界