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采用Si3N4氮化硅薄膜作为硅基太阳能电池的减反层, 通过构建石墨烯/氮化硅/硅基底的光学微腔, 利用时域有限差分法计算不同氮化硅薄膜厚度条件下光学微腔的光吸收特性. 分析发现当介质层厚度为50 nm时,在300~1 100 nm波长区间的光吸收率最大; 同时还分析氮化硅薄膜厚度对单层石墨烯的光吸收峰位置和效率的影响. 研究结果表明, 通过对石墨烯/氮化硅/硅基底构成的光学微腔的优化, 可以有效提升石墨烯硅基异质结太阳能电池的性能.