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试验使用ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取代传统的泡发射极Ｔｉ－Ａｌ结构，用于超高频晶体管生产中，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性。
多晶硅工艺在超高频晶体管中的应用
【摘 要】
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试验使用ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取代传统的泡发射极Ｔｉ－Ａｌ结构，用于超高频晶体管生产中，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1996年1期
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