【摘 要】
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提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ 的ＭＯＳＧＣＴ 进行二维数值分析，其
【机 构】
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提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ 的ＭＯＳＧＣＴ 进行二维数值分析，其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％ ，且关断时间小于１００ｎｓ．
A new MOS gate transistor - MOSGCT is proposed. The structure introduces an NPN transistor on one side of the DMOS so that it has a mixture of DMOS and NPN bipolar transistors in the forward direction with fast turn-off similar to DMOS when turned off. The two-dimensional numerical analysis of the 600-V withstand voltage MOSGCT shows that the current density of MOS-GCT is 45% higher than that of DMOS and the turn-off time is less than 100ns.
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