【摘 要】
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报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083,中国科学院半导
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报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
A green In Ga N / Al Ga N double heterojunction structure grown on a sapphire (α-Al 2 O 3) substrate using In-Ga N doped with Zn and Si as active regions by LP- And successfully developed a green LED with a wavelength of 52 0-540 nm.
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