Ⅲ—Ⅴ族半导体化合物负电子亲和势光电阴极国外发展概况综述

来源 :光电子学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kingknife2000
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本文将着重概述国外Ⅲ—Ⅴ族半导体化合物负电子亲和势光电阴极的研究简史和某些发射材料的制备及其特性。然后,就以几种应用较广,且令人感兴趣的发射材料为基础,对其发展现状及其应用前途予以探求,以说明研制这种光电阴极的必要性和可能性。 This article focuses on a brief overview of foreign Ⅲ-Ⅴ semiconductor compounds negative electron affinity photocathodes and some of the preparation of emission materials and their characteristics. Then, based on several widely used and interesting emissive materials, its development status and application prospect are explored to illustrate the necessity and possibility of developing this kind of photocathode.
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