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欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光．标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW．发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小、温度稳定性更高、调制能力更强、更易于控制。
直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光试验成功
【摘 要】
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欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光．标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW．发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体
【出 处】
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光机电信息
【发表日期】
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2009年9期
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