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介绍了射频电感耦合等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术的原理、实验性能。并用该技术在S i基片上沉积了Cu膜,研究了所成膜的结构、表面形貌及膜成分等,分析结果表明在该条件下沉积的Cu膜致密,晶粒尺度大约在100~1000 nm,膜基界面比较紧密,没有明显的空洞,并且膜呈(111)织构。最后简要介绍了该技术应用的前景。