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抗坏血酸在L-半胱氨酸自组装膜修饰电极上的电化学特性

来源 :延边大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：presk

【摘 要】

：

制备L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极，并研究抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为，同时建立了利用修饰电极催化作用快速测定抗坏血酸的方法．在含有抗坏血酸的0．1mol／L HAc-NaAc（pH=4．0）缓

【作 者】

：

张玉龙 温金凤 崔胜云 

【机 构】

：

延边大学理学院化学系

【出 处】

：

延边大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

L-半胱氨酸 抗坏血酸 修饰电极 循环伏安法 L-cysteine  ascorbic acid  modified electrode  cyclic vol 

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制备L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极，并研究抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为，同时建立了利用修饰电极催化作用快速测定抗坏血酸的方法．在含有抗坏血酸的0．1mol／L HAc-NaAc（pH=4．0）缓冲溶液底液中，在-0．20～0．60V（vs，SCE）电压范围内，用修饰电极作为工作电极进行循环伏安扫描，抗坏血酸分别在峰电位Epa=0．264V，Epc=0．199V（vs．SCE）处产生灵敏的催化氧化还原峰．修饰电极对抗坏血酸的催化氧化峰与抗坏血酸的浓度在4．0×10^-7～7．0×10

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