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采用不同的光学模型对厚度为6nm，密度为2．2g/cm2。的理想Si02薄膜理论曲线进行了拟合，得到了薄膜厚度的计算结果随所采取的薄膜密度变化的规律：选用更大的薄膜密度值进行拟合计算会得到更小的厚度结果，其趋势近似线性．参考GIXRR方法测量得到的薄膜物理结构的结果，给出了优化的拟合计算模型（薄膜密度为2．4g／cm3、表面粗糙度为0．4nin、界面粗糙度为0．3nin），对于热氧化法制备的厚度小于10nrn的SiO2超薄膜，使用此模型进行拟合计算，可以得到比常规模型更为准确的厚度结果．采用优化的模型拟合