Re掺杂对W丝阴极二次电子发射的影响

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为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二次电子发射系数的能力不同,掺杂5(质量比)%Re的W-Re合金阴极的二次电子发射系数最大,其最大二次电子发射系数(δm)值为1.8,相比于未掺杂的纯钨粉烧结阴极的δm,能够提高80%。 In order to increase the secondary electron emission coefficient (δ) of a pure W filament cathode, W powders were doped with different proportions of Re powders. The mixed W-Re powder was prepared on the surface of the W piece and the secondary electron emission coefficient was measured after sintering at high temperature. The experimental results show that Re-doped alloy cathode can improve δ of the pure tungsten filament cathode. Different Re doped W-Re alloy cathode to improve the secondary emission coefficient of different ability, doping 5 (mass%) Re Re W-Re cathode secondary electron emission coefficient of the largest, the maximum secondary electron emission The coefficient (δm) value of 1.8 can be increased by 80% compared to the δm of an undoped pure tungsten powder sintered cathode.
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