硅基3C-SiC的热氧化机理

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shmilyuho
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.
其他文献
通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外-可见光光谱、红外透过率及
用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,制备的ZnO薄膜具有一定的c轴
“心理断乳”指的是大学生入学后不久出现的一种心理波动现象。这一现象的成因比较复杂,但大学生的心理结构简单、思维模式单一、人格内容具有理想性等主体方面的因素是这一现
利用有限元法对应变白组织生长量子点的应力应变分布进行了系统分析,给出了抽象的孤立量子点系统模型,采用有限元分析方法,利用二维和三维模型对透镜形的量子点内部及周围材料的
:文章研究的是国有企业、传统集体企业以及乡镇企业进行战略性改组的客观必然性及战略性 ,以及改组所采取的主要措施
针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(V
工作曲线法是分析化学中最为常用的定量计算方法,但绘制工作曲线和求解被测组分的数据处理较为繁杂,文章所叙插值法应用于工作曲线的计算程序可大大提高数据处理速度,能广泛用于
近年来,俄日关系松动、改善、升温的步伐明显加快,双方表现出全面改善关系的强烈愿望.但由于制约俄日关系实质性发展的诸多因素,尤其是领土问题未能消除,因而俄日双边合作只
本文将徐利治先生的“离散”Bernstein算子推广为更一般的缺项多项式算子,并给出其Boolean 和,从而研究它对所谓B-有界就差函数的点态逼近,是文[1]和文[7]的推广。