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通过控制直流磁控溅射时间在15～3600s之间制备出系列不同厚度的sn薄膜负极，研究了沉积时间变化对首周不可逆容量损失的影响。当Sn薄膜沉积时间为15s时，首周放电容量远远大于理论容量，其中首周充放电不可逆容量损失占首周放电容量的56％以上，1．5V至锡锂合金化反应电位0．67V之间出现的SEI膜是造成该不可逆容量的主要原因。随着薄膜沉积时间增加，首周容量损失呈现非单调变化趋势。当沉积时间低于600s时，首周容量损失与SEI膜容量变化趋势基本一致；当沉积时间长于600S时，首周容量损失单调递增，而SEI膜