【摘 要】
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本工作采用真空热压烧结的方法,研究Mo2Ga2C粉体的烧结性能,制备致密的Mo2Ga2C块体材料,并且表征所制备材料的微观结构。实验发现750℃是合适的烧结温度,过高的烧结温度(850
【机 构】
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河南理工大学材料科学与工程学院,河南理工大学机械与动力工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(51772077),河南省高校科技创新团队(19IRTSTHN027),河南省自然科学基金(182300410228,182300410275)
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本工作采用真空热压烧结的方法,研究Mo2Ga2C粉体的烧结性能,制备致密的Mo2Ga2C块体材料,并且表征所制备材料的微观结构。实验发现750℃是合适的烧结温度,过高的烧结温度(850℃)会导致样品分解,主要产物为Mo2C。在750℃烧结过程中,随着烧结时间的延长,样品的晶粒没有明显长大,但是样品内部空隙显著变小,内部织构增强,相对密度明显提高。因为Mo2Ga2C晶体的片状结构,热压烧结过程中,部分片状晶粒会偏转,导致烧结样品的多数晶粒的(00l)晶面会倾向垂直于热压方向。在750℃烧结8 h,可以得到几
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