【摘 要】
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用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
The p + -GexSi1-x / p-Si heterojunction was grown by molecular beam ep
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
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用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
The p + -GexSi1-x / p-Si heterojunction was grown by molecular beam epitaxy and the planar photo-infrared detector was fabricated by planar technology. The response wavelength of the device was 9μm. At 52K, Rv500K = 3.3 × 103V / W.
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