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介绍了纳米硅膜的ＰＥＣＶＤ生长方法，样品的结构特征和结构参数的测量方法，根据现有的实验数据，讨论了给米硅样品的电学性质和光学性质，简要评述了内米硅研究的方向和进一步所要做的工作。
用等离子体沉积法生长的纳米硅膜及其物性
【摘 要】
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介绍了纳米硅膜的ＰＥＣＶＤ生长方法，样品的结构特征和结构参数的测量方法，根据现有的实验数据，讨论了给米硅样品的电学性质和光学性质，简要评述了内米硅研究的方向和进一步所要做的工作。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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物理
【发表日期】
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1994年11期
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