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随着半导体技术的发展，衡量半导体制造技术的关键参数一特征尺寸（GD）亦朝着细微化方向发展，从最初的数微米发展到当前的65纳米、45纳米甚至更小。而刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。
电介质刻蚀工艺简介
【摘 要】
：
随着半导体技术的发展，衡量半导体制造技术的关键参数一特征尺寸（GD）亦朝着细微化方向发展，从最初的数微米发展到当前的65纳米、45纳米甚至更小。而刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺
【机 构】
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应用材料中国有限公司
【出 处】
：
集成电路应用
【发表日期】
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2007年1期
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