【摘 要】
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采用一步热压法制备了N型Si80Ge20Px(x=0.2、1.0、2.0),通过改变P掺杂优化载流子浓度,对样品进行物相分析与微观结构分析,测试并比较了样品在30~800℃下的热电参数。结果表明
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采用一步热压法制备了N型Si80Ge20Px(x=0.2、1.0、2.0),通过改变P掺杂优化载流子浓度,对样品进行物相分析与微观结构分析,测试并比较了样品在30~800℃下的热电参数。结果表明:一步热压法可实现硅锗固相反应合金化,制备的Si80Ge20结构致密、组分均匀;随着P掺杂增加,Si80Ge20Px的电导率增加,Seebeck系数降低,功率因子增加,热导率变化不明显,ZT值增加;在30~800℃,Si80Ge20P0.2的功率因子和ZT值随温度升高先增加后降低,在700℃达到最大值,Si80Ge
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