【摘 要】
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层状结构TiS2具有准二维结构,高热电势（室温时S≈250μV/K）和大的热电功率因子,作为热电材料具有很好的开发和应用前景。通过固相反应法,我们分别用原子量大于和小于Ti的原子部
【机 构】
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中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室
【基金项目】
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national natural science foundation of China（10904144、50701043、10774145）
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层状结构TiS2具有准二维结构,高热电势（室温时S≈250μV/K）和大的热电功率因子,作为热电材料具有很好的开发和应用前景。通过固相反应法,我们分别用原子量大于和小于Ti的原子部分替代Ti位引入替位缺陷（NiTi″,AlTi′,MgTi″）,合成了不同元素替代掺杂化合物M0.04Ti0.96S2（M=Ni,Al,Mg）,在5-310K的温度范围内研究了各化合物的电阻率、热导率及热电势率与温度的对应关系。结果表明Ni、Al、Mg三种元素的掺杂均引起了主体材料从金属性到半导体导电性质的转变,且在低温范围内呈
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