【摘 要】
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利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响。STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院半导体研究所
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利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响。STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位随着温度的升高呈现出经典S(Red-Blue-Red)曲线。目前普遍认为蓝移是In组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高In组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高In组分造成的势起伏较大,在80K～160K条件下造成很大的热势垒,从而阻碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃迁。同时,在高温段160K～300K载流子的带填充过程在峰位蓝移方面起主要作用。这是由于高In样品的量子限制效应较低In组分的明显,导致高温段峰位整体红移减小。
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