改进的碳化硅微波元件的性能

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美国Cree研究公司和Motorola公司研制的碳化硅晶体管的操作频率高达12.9GHz。这是SiC微波元件的巨大突破。公司声称工作频率达到10GHz,自1980年以来一直是军费资助SiC研究的一项主要目标。由两个公司共同进行这项研究工作。用Cree公司最近研制 Silicon carbide transistors developed by Cree Research and Motorola have operating frequencies of up to 12.9GHz. This is a huge breakthrough for SiC microwave components. The company claims operating at 10GHz and has been a major target for military-funded SiC research since 1980. The two companies work together on this research. Developed recently by Cree
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