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深入研究了牺牲层腐蚀机制，摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析，并由此对工艺进行了改进，采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题，可以完全满足后续工艺的要求。
OEIC台面腐蚀工艺研究
【摘 要】
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深入研究了牺牲层腐蚀机制，摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析，并由此对工艺进行了改
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2009年2期
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