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我们采用两参数的Keating模型描述晶体的短程相互作用,并引入有效电荷Z描述程的库仑相互作用,研究了极性半导体的晶格动力学性质。对SiC,GaAs,GaAs和GaSb和InSb的计算表明,本文的结果与实验及其它理论计算符合较好,由于本文的模型只引入了三个参数,具有参数少,物理图象清晰的性质,因此,这个模型可以应用到复杂的体系,如超晶格等。