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我们采用两参数的Ｋｅａｔｉｎｇ模型描述晶体的短程相互作用，并引入有效电荷Ｚ描述程的库仑相互作用，研究了极性半导体的晶格动力学性质。对ＳｉＣ，ＧａＡｓ，ＧａＡｓ和ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ的计算表明，本文的结果与实验及其它理论计算符合较好，由于本文的模型只引入了三个参数，具有参数少，物理图象清晰的性质，因此，这个模型可以应用到复杂的体系，如超晶格等。