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提出了一种Ｔ形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层轻掺砷的多晶硅薄膜；
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
【摘 要】
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提出了一种Ｔ形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层轻掺砷的多晶硅薄膜；
【机 构】
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东南大学电子研究所
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1997年5期
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