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CMP的加工过程，是对晶圆表面进行全局平坦化的过程，去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等，综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率，优化平坦化效果，而且还能提高生产效率。
CMP加工过程去除率的影响因素研究
【摘 要】
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CMP的加工过程，是对晶圆表面进行全局平坦化的过程，去除率是整个过程较为关键的指标。影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等，综合考虑这些因素不
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十五研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2008年1期
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