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利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜，在其他反应条件不变的情况下，改变氩氧比，测量了样品的晶体结构和导电性能．随着反应气氛中氩气含量的增加，（002）面衍射峰的强度有所提高，说明薄膜的结晶质量有所改善，衍射峰略向θ角减小的方向移动．随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少，ZnO薄膜的方块电阻明显减小，说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小．