【摘 要】
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随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的
【机 构】
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上海交通大学,中芯国际止潮集成电路股份有限公司
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随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因。经分析,整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性,浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效。着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进,改善浮栅和控制栅物理结构,防止写入失效,从而得到最佳的良率。
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