【摘 要】
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本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI
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本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI CMOS集成电路。
This paper analyzes in detail the high temperature characteristics and high temperature failure modes of silicon integrated circuits, and points out that the main mode of high temperature failure of CMOS integrated circuits is the high temperature blocking effect. One of the effective ways to solve this problem is to develop a CMOS IC with dielectric isolation, such as an SOI CMOS integrated circuit.
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