论文部分内容阅读
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,基于优化表面形貌及光电特性的溅射后腐蚀ZnO:Al衬底,将通过调控工艺参数获得的器件质量级高速微晶硅（μc-Si:H）材料（沉积速率达10.57?/s）应用到微晶硅单结电池中,获得了初始效率达7.49%的高速率超薄微晶硅单结太阳电池（本征层厚度为1.1μm）.并提出插入n型微晶硅和p型微晶硅的隧穿复合结,实现了非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的低损电连接,由此获得了初始效率高达12.03%（Voc=1.48 eV,Jsc=11.67 m A/cm2,FF=69.59%）的非晶硅/微晶硅超薄双结叠层电池（总厚度为1.48μm）,为实现低成本生产太阳电池奠定了基础.