【摘 要】
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1996年,Slonczewski和Berger理论预测出,当自旋极化电流穿过一层纳米尺寸(<100nm)的铁磁体薄膜或一个磁性纳米柱时,由于所产生的自旋角动量转移矩(简称STT),电流可以在铁磁膜
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1996年,Slonczewski和Berger理论预测出,当自旋极化电流穿过一层纳米尺寸(<100nm)的铁磁体薄膜或一个磁性纳米柱时,由于所产生的自旋角动量转移矩(简称STT),电流可以在铁磁膜中产生磁激发甚至引起铁磁膜磁化方向的翻转。为了克服铁磁体中磁阻尼矩,外加电流所需要的临界电流密度一般都在10~7A/cm~2以上。近年来,对这种电流诱导磁化翻转(简称CIMS)行为的研究引起人们广泛的关注,因为CIMS技术在磁随机存储器中的使用不仅可以降低写电流能量损耗,从而大幅度提高存储密度,而且还可以
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