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利用显微Raman光谱技术,对比研究了CdZnTe晶体无位错区和位错密集区的Raman光谱。研究发现,CdZnTe晶体无位错区的Raman光谱出现了与Te有关的A1模（119 cm-1）、类CdTe的TO1模（138 cm-1）和类ZnTe的TO2模（179 cm-1）;CdZnTe晶体位错密集区的Raman光谱中仅出现了与Te有关的A1模和类CdTe的TO1模,CdZnTe晶体类ZnTe的TO2模消失。对CdZnTe试样位错密集区进行变温光致发光谱测试,结果表明,束缚在中性施主上的激子的离解为电子空穴对