【摘 要】
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不掺杂磷化镓液相外延材料是制备纯绿色(主波长555nm)发光二极管的基础材料,我们用自己设计和建立的微机控制液相外延系统,采用降温沉积和过补偿方法,在 n 型磷化镓单晶衬底
【机 构】
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浙江大学物理系,浙江大学物理系 杭州,杭州
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不掺杂磷化镓液相外延材料是制备纯绿色(主波长555nm)发光二极管的基础材料,我们用自己设计和建立的微机控制液相外延系统,采用降温沉积和过补偿方法,在 n 型磷化镓单晶衬底上生长 n 型外延层,接着生长了 p 型外延层,得到了生长结的磷化镓外延材料。
Doped gallium phosphide liquid phase epitaxial material is the preparation of pure green (main wavelength 555nm) light-emitting diodes, the basic material, we use their own design and established microcomputer-controlled liquid phase epitaxy system, using cooling deposition and overcompensation method, n-type Growth of n-type epitaxial layer gallium arsenide single crystal substrate, followed by the growth of the p-type epitaxial layer to obtain a growth of gallium phosphide epitaxial material.
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